深圳市科瑞芯电子有限公司

BlueRocket/蓝箭电子 BRCS4435SC SOP-8塑封封装P沟道MOS场效应管

描述

SOP-8塑封封装P沟道MOS场效应管。

极限参数（Ta=25℃）
● 漏源电压：-30V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流A（Ta=25?C）：-8.8A
● 连续漏极电流A（Ta=70?C）：-7.0A
● 脉冲漏极电流B: -50A
● 单次运行功耗A（Ta=25℃）：2.5W
● 单次运行功耗A（Ta=70℃）：1.2W
● 雪崩电流：-20A
● 重复雪崩能量0.3mHB: 50mJ
● zui高结温：150℃
● 储存温度范围：-55～%2B150℃
● 对环境A的热阻结：50℃/W
● 对环境A的热阻结：125℃/W
● 引线C的zui大连接：25℃/W

BRCS4435SC规格书（部分）