SVS47N60PN 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-3P
47A, 600V DP MOS功率管
描述
SVS47N60PN N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子
DPMOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率
转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS47N60PN 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
特点
47A,600V, Rps(on)(其型值)=55mQ@Vcs=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值