SVS70R420D(S)E3 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-252-2L 11A700V 超结MOS功率管
SVS70R420D(S)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS70R420D(S)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
11A,700V,RDS(on)(典型值)=0.37W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准