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深圳市科瑞芯电子有限公司
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产品信息
BlueRocket/蓝箭电子 BRB80N08 TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管
BRB80N08 Descriptions
N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package.
Electrical Characteristics(Ta=25℃)
● Drain-Source Breakdown Voltage: 80V
● Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=80V VGS=0V: 1.0μA
VDS=80V VGS=0V TJ=125℃:10μA
● Gate-Body Leakage Current Forward: ±0.1μA
● Gate Threshold Voltage: 2~4V
● Static Drain-Source On-Resistance: 8.5~11mΩ
● Forward Transconductance: 58S
● Drain-Source Diode Forward Voltage: 1.3V
● Input Capacitance: 3200pF
● Output Capacitance: 330pF
● Reverse Transfer Capacitance: 260pF
● Turn-On Delay Time: 20ns
● Turn-On Rise Time: 17.8ns
● Turn-Off Delay Time: 76.8ns
● Turn-Off Fall Time: 15.7ns
BRB80N08产品规格书（部分）
