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BlueRocket/蓝箭电子 BRCS7002K2ZK DFN1006-3L塑封封装N沟道MOS场效应管

描述

BRCS7002K2ZK是DFN1006-3L塑封封装N沟道MOS场效应管。

电性能参数（Ta=25℃）
● 漏源击穿电压：60V
● 零栅极电压漏极电流：1μA
● 门体泄漏：±10μA
● 静态漏极源导通电阻
RDS（开）（1）：1.7~2Ω
RDS（开）（2）：1.9~2.5Ω
● 漏源二极管正向电压：1.35V
● 栅极阈值电压：1.0V 1.4V 2.0V
● 输入电容：25~50pF
● 输出电容：11~25pF
● 反向转移电容：2.5~5pF
● 栅极总电荷（10V）：0.7nC
● 总栅极电荷（4.5V）：0.1nC
● 栅极-源极电荷：0.3nC
● 栅极-漏极电荷：0.1nC
● 开机延迟时间：12.2ns
● 开机上升时间：9.0ns
● 关闭延迟时间：55.8ns
● 关闭下落时间：29ns

BRCS7002K2ZK产品规格书（部分）