深圳市科瑞芯电子有限公司

BlueRocket/蓝箭电子 BR4953D 

SOP-8塑封封装双P沟道MOS场效应管

描述

BR4953D是SOP-8塑封封装双P沟道MOS场效应管。

电性能参数

● 漏极-源极击穿电压：-20V
● 零栅极电压漏极电流
VDS=-24V VGS=0V：-1μA
VDS=-24V VGS=0V TJ=85°C：-10μA
● 栅极阈值电压：-0.50V -0.8V -1.0V
● 栅极漏电流：±100nA
● 漏极-源极导通电阻
VGS=-10V IDS=-2.7A: 85~97mΩ
VGS=-4.5V IDS=-2.7A: 82~110mΩ
VGS=-2.5V IDS=-2.2A: 130~150mΩ
● 二极管正向电压：-0.7~-1.3V
● 栅极总电荷：5.8~10nC
● 栅极-源极电荷：0.85nC
● 栅极-漏极电荷：1.7nC
● 栅极电阻：6Ω
● 输入电容：415pF
● 输出电容：223pF
● 反向传输电容：84pF
● 开机延迟时间：13~25ns
● 开启-开启上升时间：36~60ns
● 关闭延迟时间：42~70ns
● 关闭下降时间：42~70ns

BR4953D产品规格书