Fet/东沅 FKD3006 TO252 30V N沟道快速开关MOSFET
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏源击穿电压:30V
●参考温度系数:0.028V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V,ID=30A: 4.7~5.5mΩ
VGS=4.5V,ID=15A: 7.5~9mΩ
● 栅极阈值电压:1.0~2.5V
●温度系数:-6.16mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=24V,VGS=0V,TJ=125℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 正向跨导:22S
●栅极电阻:1.7~3.4mΩ
● 闸门总电荷:20nC
● 栅极源极电荷:7.6nC
● 栅极-漏极电荷:7.2nC
● 开机延迟时间:7.8ns
● 上升时间:15ns
● 关闭延迟时间:37.3ns
● 秋季时间:10.6ns
● 输入电容:2295pF
● 输出电容:267pF
● 反向传输电容:210pF
FKD3006二极管特性
● 连续电源电流:80A
● 脉冲源电流:160A
● 二极管正向电压:1V
● 反向恢复时间:14nS
● 反向恢复电荷:5nC
FKD3006产品规格书(部分)