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Fet/东沅 FKN3113 SOT23 30V P沟道快速开关MOSFET
描述
FKN3113是高单元密度沟槽P沟道MOSFET，它为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和效率。FKN3113符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认-证。
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏源击穿电压：-30V
●参考温度系数：-0.021V/℃
● 静态漏极源导通电阻
VGS=-10V，ID=-4A:32~40mΩ
VGS=-4.5V，ID=-2A:50~62mΩ
● 栅极阈值电压：-1.0V-1.5V-2.5V
●温度系数：-4.2mV/℃
● 漏源漏电流
VDS=-24V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=-24V，VGS=0V，TJ=125℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：14.8S
●栅极电阻：15～30mΩ
● 闸门总电荷：9.8nC
● 栅极-源极电荷：2.2nC
● 栅极-漏极电荷：3.4nC
● 开机延迟时间：16.4ns
● 上升时间：20.4ns
● 关闭延迟时间：55ns
● 秋季时间：10ns
● 输入电容：930pF
● 输出电容：148pF
● 反向传输电容：115pF
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