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Fet/东沅 FKS0026 SOP8 N沟道快速开关MOSFET
描述
FKS0026是高单元密度沟槽N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。FKS0026符合RoHS和绿色产品要求，100%的EAS保证，并通过了全功能可靠性认-证。
额定参数
● 漏极-源极电压：100V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TA=25℃：7.5A
ID@TA=70℃：6A
● 脉冲漏极电流：40A
● 单脉冲雪崩能量：16mJ
● 雪崩电流：18A
● 总功耗：2.5W
● 储存温度范围：-55至150℃
● 工作接点温度范围：-55至150℃
热数据
● 热阻结环境
t≤10S:50℃/W
稳态：85℃/W
FKS0026产品规格书（部分）
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