Fet/东沅 FKBA3430 PRPAK5x6 30V双非对称N沟道MOSFET
FKBA3430产品特征
● 先进的沟槽MOS技术
● 低RDS(ON)
● 高电流能力
● 100%EAS保证
● 绿色设备可用
FKBA3430产品应用
● 台式机中的电源管理
● 电信和工业中的相关DC/DC转换器
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏极-源极击穿电压:30V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V,ID=20A: 2.7~3.6mΩ
VGS=4.5V,ID=15A: 4.0~5.5mΩ
● 栅极阈值电压:1.2~2.2V
● 漏源漏电流
VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 栅极电阻:1.4Ω
● 闸门总电荷:29nC
● 栅极-源极电荷:4.6nC
● 栅极-漏极电荷:2.8nC
● 开机延迟时间:12ns
● 上升时间:10.5ns
● 关闭延迟时间:23ns
● 秋季时间:19ns
● 输入电容:1538pF
● 输出电容:749pF
● 反向传输电容:120pF
产品规格书(部分)