Fet/东沅 FKBA90N12 PRPAK5x6 N沟道120V快速开关MOSFET
FKBA90N12产品特征
● 先进的沟槽MOS技术
● 低栅极电荷
● RDS低(ON)
● 100%EAS保证
● 绿色设备可用
FKBA90N12产品应用
● 负载开关
● LED应用
● 网络应用程序
● 快速充电器
额定参数
● 漏极-源极电压:120V
● 栅源电压:±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃:90A
ID@TC=100℃:57A
● 脉冲漏极电流:320A
● 单脉冲雪崩能量:576mJ
● 雪崩电流:48A
● 总功耗:125W
● 储存温度范围:-55至150℃
● 工作接点温度范围:-55至150℃
产品规格书(部分)