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深圳市科瑞芯电子有限公司
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产品信息
Fet/东沅 FKBB6566 PRPAK3x3 N沟道60V快速开关MOSFET
FKBB6566额定参数
● 漏极-源极电压:65V
● 栅源电压:±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃:60A
ID@TC=100℃:37A
● 脉冲漏极电流:130A
● 单脉冲雪崩能量:92.5mJ
● 雪崩电流:43A
● 总功耗:44.6W
● 储存温度范围:-55至150℃
● 工作接点温度范围:-55至150℃
FKBB6566电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏极-源极击穿电压:65V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V,ID=20A:4.4~5.2mΩ
VGS=4.5V,ID=10A:6.4~7.8mΩ
● 栅极阈值电压:1.2~2.3V
● 漏源漏电流
VDS=60V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=60V,VGS=0V,TJ=55℃:5uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 栅极电阻:1.3Ω
● 栅极总电荷(10V):33.4nC
● 栅极总电荷(4.5V):17.8nC
● 栅极-源极电荷:5.8nC
● 栅极-漏极电荷:7.9nC
● 开机延迟时间:7.5ns
● 上升时间:6ns
● 关闭延迟时间:29ns
● 秋季时间:7.5ns
● 输入电容:1625pF
● 输出电容:438pF
● 反向转移电容:25pF
产品规格书(部分)