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深圳市科瑞芯电子有限公司
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产品信息
Fet/东沅 FKBA8008 PRPAK5x6 N沟道80V快速开关MOSFET
Description
The FKBA8008 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provide excellentRDSON and gate charge for most of thesynchronous buck converter applications.The FKBA8008 meet the RoHS and GreenProduct requirement, 100% EAS guaranteedwith full function reliability approved.
Features
● 100% EAS Guaranteed
● Green Device Available
● Super Low Gate Charge
● Excellent CdV/dt effect decline
● Advanced high cell density Trench technology
● Drain- Source Vltage: 30V
● Gate-Source Voltage: ±20V
● Continuous Drain Current
ID@TC=25℃: 90A
ID@TC=100℃: 57A
● Pulsed Drain Current: 180A
● Single Pulse Avalanche Energy: 125mJ
● Avalanche Current: 50A
● Total Power Dissipation: 69W
● Storage Temperature Range: -55 to 150℃
● Operating Junction Temperature Range: -55 to 150℃
产品规格书（部分）
